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   碳化硅是全球最先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體材料。和第一代的硅、第二代的砷化鎵材料相比，它具有耐高壓、高頻、大功率等優(yōu)良的物理特性，是衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動(dòng)汽車(chē)、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料?？凭?lián)盟提供全套碳化硅基片研發(fā)的全套設(shè)備， 為新一代碳化硅基片的開(kāi)發(fā)助力。



編 號(hào)

設(shè)備名稱(chēng) &  P/N

照 片


用 途


1

100T壓機(jī)

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將粉末預(yù)壓成圓片以便均勻蒸發(fā)或融化

2


SiC 晶體生長(zhǎng)



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TSSG                  Sublimation

真空感應(yīng)加熱晶體生長(zhǎng)爐（ 2000 -2400oC）

· 頂部籽晶溶液生長(zhǎng)

· 升華外延生長(zhǎng)

3

高溫退火爐

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1600 – 1800oC

+/- 0.1 C 精度

4

單晶定向

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晶體定向

5

SiC晶片切割


1-8.png

金剛石線(xiàn)精確切片

6

SiC基片外延拋光

1-9.png          1-10.png

光潔度 《 10A

7

等離子& 臭氧清洗

1-11.png 1-12.png

外延薄膜生長(zhǎng)前去除表面污染

8

晶片包裝盒

1-13.png            1-14.png

安全包裝盒運(yùn)輸




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