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知識(shí)中心模塊說(shuō)明

      理論知識(shí)來(lái)源于實(shí)踐,是前人豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的凝結(jié),對(duì)相關(guān)領(lǐng)域基礎(chǔ)知識(shí)的了解有助于進(jìn)一步推進(jìn)實(shí)驗(yàn)的進(jìn)程??凭?yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室從實(shí)際應(yīng)用和自身經(jīng)驗(yàn)出發(fā),將材料、設(shè)備、制備工藝等相關(guān)理論進(jìn)行簡(jiǎn)單匯總,創(chuàng)建知識(shí)中心模塊,具體包括加熱爐、薄膜、晶體生長(zhǎng)納米材料、數(shù)據(jù)庫(kù)、公制轉(zhuǎn)化、科晶文獻(xiàn)角七大部分內(nèi)容。

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      以薄膜模塊為例,該模塊涵蓋膜沉積原理,等離子設(shè)備濺射涂層原理,及相關(guān)特殊結(jié)構(gòu)膜的形成工藝及原理,能讓您在最短的時(shí)間對(duì)薄膜領(lǐng)域、薄膜制備設(shè)備、以及二者之間的關(guān)系有一個(gè)簡(jiǎn)單清晰的認(rèn)知。

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      合肥科晶應(yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室會(huì)在現(xiàn)有的理論基礎(chǔ)上不斷豐富內(nèi)容、開(kāi)拓體系,也期待與各位老師同學(xué)共同交流,若有疏漏之處,歡迎每位老師及同學(xué)批評(píng)指正。

      科晶應(yīng)用技術(shù)實(shí)驗(yàn)室:0551-65591676


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