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ZnSe晶體基片
- 產品概述：
- 硒化鋅(ZnSe)晶體基片廣泛應用于CO2激光器的紅外光學；透鏡；窗口；分束器；外延基片；蒸發(fā)源的晶體片等領域.
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本站產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網站不可預知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術參數(shù)產品視頻實驗案例警示/應用提示配件詳情
| 產品名稱
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ZnSe 晶體基片
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| 技術參數(shù)
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晶體結構： | 立方晶系 | 晶格常數(shù)： | a=5.6685 ? | | 介電常數(shù)： | 8.976 | 密度： | 5.264 g/cm3 | 熔點： | 1525℃ | 熱容： | 0.339 J/g·k | 熱膨脹系數(shù)(10-6/K)： | 7.1 | 折射率： | 2.5 | 透過波長： | 450~21500nm | 熱導率： | 16W/(m.k) at300K | 生長方式： | PVT法 |
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| 產品規(guī)格
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常規(guī)晶向： | <100>、<110>、<111> | 常規(guī)尺寸： | 5x5x0.5mm，10x10x0.5mm，10x5x0.5mm | 拋光情況： | 單拋 雙拋 細磨 | 注：尺寸及方向可按照客戶要求定做。 |
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| 晶體缺陷
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人工生長單晶都可能存在晶體內部缺陷。
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| 標準包裝
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1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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