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BGO晶體
產(chǎn)品概述：
鍺酸鉍（Bi4Ge3O12簡(jiǎn)稱BGO）是一種具有立方結(jié)構(gòu)、無色透明的無機(jī)氧化物晶體，它不溶于水，在高能粒子或高能射線（x-射線、γ-射線）激發(fā)下能發(fā)出峰值為480nm波長(zhǎng)的綠色熒光。BGO晶體具有強(qiáng)阻止射線能力、高閃爍效率、優(yōu)良的能量分辨率及不潮解等優(yōu)點(diǎn)，所以是一種優(yōu)良的閃爍體，廣泛應(yīng)用于高能物理、核物理、空間物理、核醫(yī)學(xué)、地質(zhì)勘察和其它工業(yè)領(lǐng)域。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)晶體基片
技術(shù)參數(shù)

晶體結(jié)構(gòu)：

立方晶系

晶格常數(shù)：

a=10.518?

純度：

>99.99％

密度：

7.12g/cm3

硬度：

5( mohs)

熔點(diǎn)：

1050 ℃

透過范圍：

350~5500nm

電光系數(shù) ：

 r41=1.03x10-12m/V 

折射率：

 2.098@ 632.8nm

激發(fā)光譜：

 305nm

臨界能量：     

 10.5Mev

能量分辨率：

 20%511 keV @                   

生長(zhǎng)方法：

提拉法
產(chǎn)品規(guī)格

常規(guī)晶向：

（100）

晶向公差：

±0.5°內(nèi)

常規(guī)尺寸：

10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm

拋光情況：

單拋、雙拋

拋光面粗糙度：

Ra<5A

注：可按照客戶要求加工尺寸和晶向。
晶體缺陷

人工生長(zhǎng)單晶都可能存在晶體內(nèi)部缺陷。
標(biāo)準(zhǔn)包裝

1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝
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