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MoS2 晶體
- 產(chǎn)品概述：
- MoS2有人工和天然兩種，人工的沒(méi)有缺陷峰，天然的缺陷峰信號(hào)在波長(zhǎng)范圍：400-500之間，如果你研究的不在那個(gè)波段內(nèi)區(qū)別就不會(huì)太大。常用于半導(dǎo)體電子器件，光學(xué)器件等研究。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 產(chǎn)品名稱(chēng)
|
MoS2 二硫化鉬 |
| 天然技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 類(lèi)型： | 天然 | | 熔點(diǎn) | 2375℃ | 純度： | >98％ | 外觀： | 銀白色 | 電導(dǎo)： | 半導(dǎo)體 | 帶隙： | 塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV | 常規(guī)尺寸： | 10 mm x 10 mm ，20 mm x 20 mm，15 mm x 15 mm |
|
| 人工技術(shù)參數(shù)
|
晶體結(jié)構(gòu)： | 六方晶系 | 類(lèi)型： | CVD法人工合成 | | 熔點(diǎn) | 1185℃ | 純度： | >99.99％ | 外觀： | 黑色/銀灰色 | 電導(dǎo)： | 半導(dǎo)體 | 帶隙： | 塊體MoS2間接帶隙1.2 eV, 單層MoS2直接帶隙 1.8 eV | 常規(guī)尺寸： | ~ 3x3x0.1 mm 面積≥10平方毫米 | | 生長(zhǎng)方法： | 分子外延，化學(xué)氣相沉積，天然 | | 晶格常數(shù)： | a=b=3.15? ,c=12.29?, α=β=90°,γ=120° |
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級(jí)超凈室，100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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