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| 技術(shù)參數(shù)
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晶胞結(jié)構(gòu) | 六方 | 晶格常數(shù) | a =3.08 ? c = 15.08 ? | 排列次序 | ABCACB (6H) | 生長(zhǎng)方法 | MOCVD | 方向 | 生長(zhǎng)軸或偏(0001) 3.5° | 拋光 | Si面拋光 | 帶隙 | 2.93 eV (間接) | 導(dǎo)電類型 | N | 電阻率 | 0.076 ohm-cm | 介電常數(shù) | e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 | 熱導(dǎo)率@300K | 5 W / cm . K | 硬度 | 9.2 Mohs |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向： <0001>； 摻雜類型： 6H N型 表示專門摻N的，摻雜濃度10E18-10E19； 4H N型 或者半絕緣；
常規(guī)尺寸：dia2"x0.33mm、dia2"x0.43mm； dia3"x0.35mm、10x10mm、10x5mm; 拋光情況：?jiǎn)螔伝螂p拋，Ra<10A； 我司現(xiàn)可供應(yīng)<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，單拋 一種低電阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一種是高電阻率（>10^5 ohm.cm)
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
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1000級(jí)超凈室100級(jí)超凈袋或單片盒封裝 |
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