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C晶體
- 產(chǎn)品概述：
- 金剛石是具有較寬帶隙的半導(dǎo)體，除部分近紅外，金剛石晶體具有從X射線到微波整個(gè)波段高的透過率，兼?zhèn)涓哂捕?、高?dǎo)熱率、高化學(xué)穩(wěn)定性和低膨脹系數(shù)，是一種優(yōu)異的光學(xué)材料和電子器件。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 電子級(jí)單晶金剛石參數(shù)表
|
電子性能 | 數(shù)據(jù) | 折射率（590nm）
| 2.4
| 電子遷移率(cm2/V.S) | 4500 | 空六遷移率(m2N S) | 3800 | 含量 (EPR測(cè)得) | <5ppb | 硼含量 | <1ppb |
電子性能 | 數(shù)據(jù) | 電阻率(2.cm) | >100 | 介電常數(shù) | 5.5 | 介電損耗 | <2x104 |
熱學(xué)性能 | 數(shù)據(jù) | 熱導(dǎo)率(300KWm:K) | 1000~2200 | 熱膨脹系數(shù)(x10-rC) | 1(室溫) |
機(jī)械性能 | 數(shù)據(jù) | 斷裂強(qiáng)度 | 2.5-3GPa | 斷裂韌性(MPam') | 1~8 | | 楊氏模量 | 1050GPa | | 硬度 | 70~120 GPa | | 摩擦系數(shù) | 0.1 |
|
| 檢測(cè)
|
| 品名規(guī)格 | 實(shí)驗(yàn)室培育金剛石 | 尺寸規(guī)格 | 10mm*10mm*0.4m | 工藝方法 | MPCVD | 外觀標(biāo)準(zhǔn) | 清晰無雜質(zhì) |
序號(hào) | 項(xiàng)目 | 檢測(cè)工具/結(jié)果 | 判定OK/NG | 備注 | 1 | 長(zhǎng)*寬 | 卡尺 |
| 0K |
| 2 | 橫向公差 |
| +0.2/--0mm |
|
| 3 | 厚度尺寸 | 卡尺 | >0.3mm | 0K |
| 4 | 厚度尺寸 |
| +0.01/-0.02mm |
|
| 5 | 表面切痕 | 目測(cè) | 無 | 0K |
| 6 | NV值檢測(cè) | 拉曼光譜儀 | 2,2 | 0K |
| 7 | 多晶檢測(cè) | 60倍被光鏡 | 無 | 0K |
| 8 | 透光性 | 強(qiáng)光手電 | 能穿透 | 0K |
| 9 | 重量 | 電子秤 | 0.10g | 0K |
| 10 | 摻雜量 | N、B | 無
| N/A
|
| 11 | 晶體學(xué) | 通常100%單扇區(qū)(100) | 0K |
| 12 | 橫向尺寸測(cè)量 | 向較小的一側(cè) | 0K |
| 13 | 邊緣、邊緣 | 激光切割，邊緣 | 0K |
| 14 | 面朝向 | (100)大面朝向 | 0K |
| 15 | 邊緣激光切0 | 3°
| 0K |
| 16 | 第12面粗拋光糙度，Ra | 拋光，Ra<30nm | 0K |
|
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